本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm‑147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
