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一种Pm-147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法

专利类型:
申请号/专利号:
ZL201810130366.9
申请人(专利权人):
张林
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

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委托经理人

本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法,该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极,N型高掺杂SiC衬底,N型SiC外延层,N型SiC外延层,在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区,在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极,在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层,在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明设计新颖合理,可以有效解决Pm‑147在材料深处的电离能量沉积的收集问题,有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。

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