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一种Pm-147碳化硅缓变肖特基同位素电池及其制造方法

专利类型:
申请号/专利号:
ZL201810130364X
申请人(专利权人):
张林
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池,包括衬底,衬底下方设置N型欧姆接触电极,衬底上部设置第一N型SiC外延层,第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层,在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极,在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层,在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型,通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场,将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合,有利于减少辐照生载流子的复合损耗,从而提升电池的输出功率。

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