本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
