本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
