本发明公开了一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件，整个器件分为A-GCT和PIN二极管两部分，A-GCT部分结构是，n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区，该p+基区中间段上表面，与波状p基区的波峰对应位置设置有n+阴极区，该n+阴极区上表面是阴极铝电极，该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有门极铝电极，n-区向下设置有n缓冲层及p+透明阳极区；PIN二极管部分结构是，n-区向上依次设置有p基区和p+基区，p+基区上表面设置有阴极铝电极；n-区向下设置有n缓冲层，n缓冲层的下方并排设置有PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ。本发明还公开了上述pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件的制备方法，可有效改善PIN二极管的反向恢复特性，从而省去了对其少子寿命的控制。
