本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器,非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方,且非吸收窗口分布在激光器腔面两端,呈半柱形结构分布,其平面部分即为激光器的出光腔面,其弧面部分位于激光器的腔长内部;非吸收窗口的深度应超过激光器有源区的上波导层;脊型波导结构中,非吸收窗口的直径大于等于1微米、且小于20微米;或者条形激光器结构中,非吸收窗口的直径大于等于3微米、且小于900微米。本发明的激光器,大大增加激光器的光学灾变损伤阈值,有效提高激光器的输出功率,有效减小杂质能级引起的光吸收,提升激光器的最大输出功率,工艺简单易行,具有规模化生产特征。