用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚

专利类型：

申请号/专利号:

CN201210413959.9

申请人（专利权人）:

封先锋

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授权

交易价格：

45000元

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本发明公开了一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚，包括坩埚本体，坩埚本体内腔在水平方向上分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。

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