本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层，在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极；有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设有阴极；p+基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围；在终端区的n-衬底内，在主结外侧设了至少一个p型场限环，并在场限环上面有一个负斜角，斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。
