用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN201210411436.0

申请人（专利权人）:

封先锋

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交易价格：

45000元

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本发明公开了一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：制作石墨柱；将碳化硅粉源装入坩埚中，然后将石墨柱插入碳化硅粉源中，再将坩埚工装后置入生长设备中；进行碳化硅粉源烧结并除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。

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