本发明公开了一种基于支持向量机回归的晶体图像直线轮廓检测方法，包括采用CCD照相机采集单晶硅生长过程中的边缘轮廓线图像，对该边缘轮廓线图像进行预处理，构建关于直线角度的过完备字典，用LS‑SVR的对偶优化模型求解出与直线角度所对应的稀疏表示系数，求出直线的角度；引入稀疏约束项来优化原始对偶优化模型以提高直线角度的精确度；构建一个直线偏移量的过完备字典，再根据对偶优化模型解出直线的偏移量。本发明能在样本点很少的情况下拟合直线，很好的解决高维数据，在最小二乘支持向量机的原始对偶优化模型中加入了稀疏约束项，进一步提高了算法的鲁棒性，能够准确的估计晶体生长中的中心轴的变化情况，并控制生长中的晶体中心轴位置。
