本发明公开了一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT,GCT‑A与GCT‑B部分在n‑区向上设置相同;GCT‑B部分n‑区向下设置有n场阻止层,n场阻止层的下方并排设置有p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ,p+透明阳极区Ⅰ和p+透明阳极区Ⅱ的厚度小于中间的n+短路区,p+透明阳极区Ⅰ与GCT‑A的p+透明阳极区邻接,p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ的下方均与GCT‑A部分的p+透明阳极区的下方设置有共同的阳极铝电极A。本发明还公开了上述D‑GCT的制备方法。本发明波状基区和透明短路阳极的双芯GCT结构,提高了GCT的电流容量,降低总损耗,省去对少子寿命的控制。