本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法,具体步骤包括:选定所使用的坩埚,根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域;分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量,并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源;在坩埚内腔填装碳化硅粉源,将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中,将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域,并在碳化硅粉源中设置石墨柱;将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂;从坩埚中取出石墨柱;进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。