本发明公开了一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜，将凝胶膜进行干燥处理；将得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光，再经溶剂洗涤和热处理，制得结晶化的金属氧化物微细图形；制备YBCO凝胶膜，再经热处理和退火处理，制得具有高磁通钉扎性能的YBCO薄膜。本发明利用晶格失配在YBCO基体中诱导形成高密度的纳米级尺寸的晶体缺陷，作为人工钉扎中心，显著增强YBCO薄膜的磁通钉扎性能，提高磁场下YBCO薄膜的临界电流密度，适合大规模工业化生产，为制备高性能钇系或稀土系钡铜氧涂层导体提供一种新方法。
