本发明公开了SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET和驱动单元五部分。漏源电压检测单元通过电阻分压完成SiCMOSFET的漏源电压检测，反映SiCMOSFET的漏极电流；通过三极管、稳压管和比较器等完成过流信号的检测；通过三极管的射集电压选择检测SiCMOSFET仅在通态时的漏源电压，并通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，使SiCMOSFET变换器的运行安全可靠；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，设置灵活方便。该漏源电压检测的过流保护装置及方法，成本低，安全可靠，检测速度快。
