本发明公开了一种制备高导电率二硼化钛/铜复合材料的方法，将片状Cu‑TiH2复合粉末与纯Cu粉和B粉进行机械混粉，然后将混合粉末冷压成型，并在气氛保护炉中进行热压烧结，即得。本发明采用TiH2粉代替了Ti粉，有效解决了Ti原子在Cu晶格中的固溶以及Ti在球磨过程中易氧化而降低复合材料导电率的问题；B粉不参与球磨过程，避免了由于B的固溶对复合材料导电率的损害；大部分Cu粉不参与球磨过程，进一步降低了Cu晶格中的缺陷；将Cu粉和TiH2粉球磨制成片状Cu‑TiH2复合粉末，使得烧结后增强相依据混粉后球磨片状Cu‑TiH2复合粉末分布的位置而原位生成，也呈现片状分布，进而提高了复合材料的导电率。
