本发明公开了一种Ce1‑xZrxO2缓冲层,该缓冲层的化学组成为Ce1‑xZrxO2,由CeO2和ZrO2外延成相热处理制得,其中0.1≤x≤0.3;本发明还公开了上述缓冲层的制备方法:将六水硝酸铈和八水氧氯化锆按照Ce∶Zr=(1‑x)∶x的摩尔比溶解于溶剂中,按金属离子的总摩尔数计算,调节溶剂的加入量,得到金属离子浓度为0.1~0.6mol/L的前驱溶液;将前驱液涂敷于NiW金属基带上进行热处理,制得Ce1‑xZrxO2缓冲层。本发明为超导层YBCO生长提供模板,进而得到一系列新的氧化物Ce1‑xZrxO2置换固溶体;并且原料成本低,来源广泛,制备工艺简单,便于工业化大规模生产。