一种单层二硫化钼薄膜的制备方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN201710382686.9

申请人（专利权人）:

蒲红斌

行业类别:

技术成熟度:

公布时间:

证书状态:

授权

交易价格：

45000元

我要咨询

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明的公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，通过使用真空管式炉设置三个温区，将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在带盖的坩埚底部，然后将坩埚放置在三温区；步骤2，向真空管式炉中通载气；步骤3，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4，将二温区加热到580～800℃，得气态的MoO3‑x，其中0

我要咨询

商标类型：

商标号：

联系人：

联系电话：

商标名称：

验证码

点击获取验证码

报价：

需求描述：

提交

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

微信

友情链接

百度

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

网站地图

扫一扫关注

版权所有：小智科技服务平台

蒙公网安备 12345678910111号蒙ICP备17005805号-2

政府网站标识码：1500000060

技术支持：