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CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管及制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201811011864.8
申请人(专利权人):
胡继超
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管,包括顶电极和底电极,两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2薄膜、I型晶体β‑Ga2O3薄膜和N型单晶β‑Ga2O3衬底,本发明还公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管的制备方法,本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基PIN紫外光电二极管的问题。

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