一种多指发射极SiGe HBT器件

专利类型：

申请号/专利号:

CN201710917513.2

申请人（专利权人）:

刘静

行业类别:

技术成熟度:

公布时间:

证书状态:

授权

交易价格：

45000元

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本发明公开了一种多指发射极SiGe HBT器件，包括自下而上依次设置的衬底、氧化层、集电区、基区和发射区，集电区与基区连接一侧，设置有隔离层槽，发射区设置有发射极，发射极为多指结构。本发明多指发射极SiGe HBT器件能够在不改变器件掺杂浓度,尺寸等关键参数的情况下,提升器件的电流增益,改善器件的频率特性,能更好的适用于射频无线通信领域中。

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