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一种多指发射极SiGe HBT器件
专利类型:
申请号/专利号:
CN201710917513.2
申请人(专利权人):
刘静
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情
技术摘要
权利要求书
技术附图
交易流程
委托经理人
本发明公开了一种多指发射极SiGe HBT器件,包括自下而上依次设置的衬底、氧化层、集电区、基区和发射区,集电区与基区连接一侧,设置有隔离层槽,发射区设置有发射极,发射极为多指结构。本发明多指发射极SiGe HBT器件能够在不改变器件掺杂浓度,尺寸等关键参数的情况下,提升器件的电流增益,改善器件的频率特性,能更好的适用于射频无线通信领域中。
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