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本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p+发射区外延层、碳化硅n+缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p‑短基区外延层、碳化硅n+发射区外延层；碳化硅n+发射区外延层上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅p‑短基区外延层上部镶嵌有两个碳化硅p+区；每个碳化硅p+区上覆盖有门极欧姆电极，门极欧姆电极与碳化硅n+发射区外延层设置有隔离层。在高质量的n型碳化硅衬底上外延生长得到的p+外延层来取代p型碳化硅衬底，能够将串联电阻减小约两个数量级。

一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法

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