政策资讯

SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201811288609.8
申请人(专利权人):
杨媛
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了,SiCMOSFET门极驱动电压控制电路,包括FPGA芯片,FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法,该方法通过本发明第一种技术方案的SiCMOSFET门极驱动电压控制电路实现电压控制,具体包括在SiCMOSFET门极驱动电压控制电路中接入SiCMOSFET,并将FPGA芯片与开关连接,在开关打开或关断时,FPGA芯片控制门极驱动级输出不同的门极驱动电压,使SiCMOSFET完全导通或SiCMOSFET完全关断。本发明能够有效的抑制大功率SiCMOSFET高频应用中出现的过冲、振荡、EMI等问题。

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