本发明公开了一种高压快速软恢复二极管的制造方法,先在硅片下表面采用磷离子注入,经氧化后、高温推进后形成具有深结且低掺杂浓度梯度的n缓冲层;接着在上表面进行硼离子注入,经氧化推进后形成p阳极区、p电阻区及终端区的多个p场限环;然后通过杂质磷的预沉积分别在上表面和下表面形成n+截止环和n+阴极区;芯片完成后,在阳极侧依次采用低能电子辐照和高能氢离子局部辐照,以获得特殊的少子寿命分布。本发明方法制造的高压二极管,具有高的击穿电压及快速且软的反向恢复特性,而且可以很好的缓解有源区边缘处的电流集中,并提高其抗动态雪崩的能力,具有较高的可靠性。