政策资讯

一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置及其抛光方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201910321122.3
申请人(专利权人):
李淑娟
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开的一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置,包括机床台,机床台表面固接电解液箱、脉冲电源和电极组,电极组包括不锈钢电极和SiC单晶电极,不锈钢电极安装在可旋转的电极架上,待处理的SiC单晶电极安装在可旋转的夹持器上,电解液箱通过导管将水基电解液输送到不锈钢电极表面,脉冲电源通过导线连接不锈钢电极和SiC单晶电极。本发明还公开了该抛光装置的抛光方法。本发明公开的抛光装置,解决了现有抛光技术中SiC单晶易产生表面与亚表面损伤,抛光效率低的问题,装置结构简单,容易操作。

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