本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法。在经过清洗、去损伤层、制绒的单晶硅基体的正面依次沉积本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；在电池背面沉积本征非晶硅背钝化层；在背钝化层的表面以掩膜法沉积P型非晶硅层，然后直接沉积P型非晶硅层和N型非晶硅层之间的绝缘隔离层，并采用光刻法按预设的绝缘隔离层宽度进行刻蚀；进一步以掩膜法沉积背面N型非晶硅层；最后采用掩膜工艺依次沉积透明导电薄膜、金属膜形成接触层，完成本发明的太阳电池制备。本发明提高了HBC单晶硅太阳电池背面结构图形的制备工艺精度，减小了隔离层宽度，提高了光生载流子的收集概率和HBC太阳电池的短路电流密度。
