政策资讯

一种原位自生硼化钨强化CuW合金的方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201910651094.1
申请人(专利权人):
杨晓红
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种原位自生硼化钨强化CuW合金的方法,将W粉、B粉以及诱导铜粉混合均匀,并压制成型,得到钨压坯;将钨压坯放入气氛烧结炉中烧结,获得钨骨架;将纯铜块放在钨骨架上方后放入铺有石墨纸的石墨坩埚内,在烧结炉中进行熔渗,即得到原位自生硼化钨强化CuW合金。本发明一种原位生成硼化钨强化CuW合金的方法,通过采用烧结‑熔渗法在CuW材料中原位生成陶瓷相W2B,由于低逸出功陶瓷相的存在使电弧得到有效分散,从而提高了CuW触头材料的耐电弧烧蚀性能,同时采用原位生成硼化钨强化CuW材料,避免了增强相的颗粒表面污染。

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