本发明公开了一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，以正方体为衬底层，光栅层为一圆环与圆柱组成的设计图样，圆环内套有圆柱，两层结构紧密贴合，衬底层为重掺杂的N型硅，衬底层的厚度为300μm，周期为200μm，掺杂浓度为2.91×1018cm‑3。本发明还公开了其制备方法，首先，清洗抛光硅片衬底，吹干，在硅片表面上旋涂一层光刻胶层，并进行烘烤，将掩膜版置于光刻胶上；对光刻胶进行曝光，显影后得到周期性的结构图案，最后，通过反应离子刻蚀裸露的硅表面，利用有机溶剂去除剩余光刻胶，即可。该全介质双带高效太赫兹吸收器结构简单，不需多层材料堆叠，易集成的，且具有吸收效率高，光可调，灵敏度高的特点。
