本发明公开了一种横向变掺杂‑结终端延伸复合终端结构，以GCT为例，终端区和有源区有共同的n‑衬底及其下方的n型FS层、p+阳极区及阳极电极；在有源区主结的外侧，依次设置有一个电阻区、一个横向变掺杂区和一个结终端延伸区，且该横向变掺杂区与结终端延伸区相互交叠，终端区表面覆盖有两层钝化膜；该电阻区将主结和该复合终端区连接为一体。本发明还公开了该种横向变掺杂‑结终端延伸复合终端结构的制造方法。本发明的复合终端结构，不仅可获得约91％的耐压效率，高温漏电流小、终端稳定性高，而且制作工艺与有源区完全兼容，不会增加器件制备过程中的工艺难度和成本，不论是方形芯片还是圆形芯片的深结器件均适用。
