用于Topcon电池制作的poly‑Si绕镀的去除方法，步骤为：1)将原始硅片去除损伤层，双面制绒；2)将获得的绒面硅片完成前表面硼扩散掺杂工艺，保留正表面的硼硅玻璃层；3)正面的镀膜，使硼硅玻璃层上生长一层SiNx薄膜；4)对背表面进行抛光及边缘刻蚀，去除硼掺杂层，使其正背面绝缘；5)背表面生长隧穿氧化层及多晶硅层；6)在多晶硅层注入磷源；7)去除有机物及表面金属离子污染；8)去除SiNx膜、poly‑Si层及硼硅玻璃层；9)背表面退火，使poly‑Si层形成N+的掺杂；10)在背表面镀SiNx膜层，正表面镀Al2O3及SiNx的复合膜层；11)将镀完膜的电池结构的正背面分别进行丝网印刷，烧结完成电池结构正背面的金属化；方法稳定性好、易于操作，有利于产业化生产。
