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本发明公开了一种宽负载范围内高电源抑制比LDO电路，包括与基准电压BG模块连接的误差放大结构，误差放大结构的输出端与LDO电路的第二级结构连接，第二级结构的输出端还连接有反馈电阻和输出电容，基准电压BG模块与误差放大结构之间还连接有自偏置低噪声隔离电路，P型MOS管Mphat与N型MOS管Mnhat构成源极跟随器，输出电压主要受栅极输入电压噪声的影响，可以不受电源电压噪声的影响。从而达到输出电压与电源电压噪声隔离。本发明解决了现有技术中存在的LDO的电源抑制比性能差的问题。

一种宽负载范围内高电源抑制比LDO电路

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