一种制备大面积高质量石墨烯的方法,采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域,用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量,从而在金属衬底上形成局部低温区,使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核,并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大,在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中,因此,在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度,从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法,不仅可以获得大面积高质量的石墨烯,而且形核生长过程可控,生长速度快,更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备,从而促进石墨烯应用研究的发展。