本发明公开了一种NiO/SiC异质发射结结构。本发明还公开了一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管,包括衬底,在衬底上表面制作有n‑SiC缓冲层,在n‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC缓冲层,在p‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC长基区,在p‑SiC长基区上表面制作有n‑SiC短基区,在n‑SiC短基区上表面制作有p‑NiO发射区,还包括绝缘介质薄膜,在p‑NiO发射区的各个凸台上端面覆盖有阳极;在衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构,拥有更高的空穴注入能力,开通性能得到显著改善。