本发明公开了一种NiO/SiC异质发射结结构。本发明还公开了一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，包括衬底，在衬底上表面制作有n‑SiC缓冲层，在n‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC缓冲层，在p‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC长基区，在p‑SiC长基区上表面制作有n‑SiC短基区，在n‑SiC短基区上表面制作有p‑NiO发射区，还包括绝缘介质薄膜，在p‑NiO发射区的各个凸台上端面覆盖有阳极；在衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，拥有更高的空穴注入能力，开通性能得到显著改善。
