本发明公开了一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管，包括从上到下依次设置的包括从上到下依次设置的N+发射极区、P‑body区、N‑CS载流子存储区、N‑drift漂移区、N‑FS场截止区和P+集电极区；位于晶体管中间的N+发射极区内设置有Gate栅极区，位于晶体管中间的P‑body区上表面有与N+发射极区间隔设置的P+发射极区，靠近晶体管边缘的N‑FS场截止区的下表面还设置有N+集电极区，N+集电极区与位于晶体管边缘的P+集电极区间隔设置，靠近晶体管边缘的P+集电极区与N+集电极区之间开有氧化槽，本发明的晶体管通过多处优化设计使得器件在消除Snapback现象的同时恢复损耗也得到降低。
