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一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN202010295110.0
申请人(专利权人):
胡继超
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法,首先将金属镓源放入石英舟内,石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中;然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中;将反应腔抽真空,抽真空后腔体压强为1pa;向石英反应腔内通入作为载气的惰性气体;同时加热管式炉内温区1中载有金属镓源的石英舟和温区2中的衬底;通过设置升温时间使温区1的工作温度和温区2中的工作温度同时达到相应设置的温度,打开氧气气路,让惰性气体携带氧气进入石英反应管,在衬底上沉积氧化镓薄膜,完成氧化镓薄膜制备,本发明解决了现有技术中存在的氧化镓材料中极易出现氧空位缺陷的问题。

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