本发明公开了一种电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管，在n‑漂移区上方中央的p基区中设置有n+阴极区；p基区四周环绕的n CS层上部靠外设置有p++分流区，p++分流区上表面与n+阴极区上表面的铝层共同构成阴极电极K；部分n+阴极区、p基区、n CS层及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有多晶硅层作为栅极G；在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层；n‑漂移区向下依次设置有n FS层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该IE‑Bi‑MCT的制备方法。本发明的IE‑Bi‑MCT结构，能显著降低器件的通态压降，提高单元胞最大可关断电流。
