本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管，包括衬底，衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层；第五外延层和第四外延层组成凸台三；第三外延层和第二外延层组成凸台二；第一外延层为凸台一；还包括钝化层，钝化层覆盖凸台三、凸台二和凸台一的外表面及衬底的上端表面；凸台三的上端表面设有电极一；凸台二的上端表面设有电极二；凸台三的上端表面设有有电极三。本发明还公开了该双层基区SiC NPN集成晶体管的制作方法。本发明提供的双层基区SiC NPN集成晶体管的基区采用低高结的双层结构，降低增益β随温度的漂移程度。
