本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层；p型结区、p型基区、n型发射区以及介质层上表面共同覆盖有阴极，n型发射区其余上表面还覆盖有光电极，光电极与阴极互联；衬底下表面覆盖有阳极。本发明还公开了一种全光控SiC高压器件的制造方法。本发明的全光控SiC高压器件及其制造方法，解决了现有技术中的SiC电控器件驱动控制电路复杂、极端环境耐受能力弱的问题。
