政策资讯

一种声发射信号检测的压电传感器及压电薄膜的制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201911234324.0
申请人(专利权人):
夏卫民
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种声发射信号检测的压电传感器,研究不同VDF/TrFE比例的P(VDF‑TrFE)和单向拉伸的纯PVDF薄膜的声发射传感器接收性能,进一步研究了声发射传感器的信号强度对TrFE含量的依赖性,本发明还提供了一种声发射信号检测的压电传感器中压电薄膜的制备方法,研究五组P(VDF‑TrFE)膜之间的声发射传感器接收性能的差异,本发明的声发射信号检测的P(VDF‑TrFE)柔性压电传感器发射性能好,发射灵敏度高,压电传感器根据力学产生振动机械波转换为电力的能力好。

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