一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管

专利类型：

申请号/专利号:

CN202010065699.5

申请人（专利权人）:

王曦

行业类别:

技术成熟度:

公布时间:

证书状态:

授权

交易价格：

45000元

我要咨询

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。

我要咨询

商标类型：

商标号：

联系人：

联系电话：

商标名称：

验证码

点击获取验证码

报价：

需求描述：

提交

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

微信

友情链接

百度

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

网站地图

扫一扫关注

版权所有：小智科技服务平台

蒙公网安备 12345678910111号蒙ICP备17005805号-2

政府网站标识码：1500000060

技术支持：