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一种直拉硅单晶提拉速度-晶体直径辨识模型建模方法
专利类型:
申请号/专利号:
CN201910026707.2
申请人(专利权人):
刘丁
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情
技术摘要
权利要求书
技术附图
交易流程
委托经理人
本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法,具体按照如下步骤进行:步骤1、多次采样,记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径,形成不同采样时刻k下的多组数据对;步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式;步骤3、对DBN网络进行训练;步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。
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