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一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN202110212399.X
申请人(专利权人):
张嘉伟
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
45000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置包括磁屏蔽桶,放置在磁屏蔽桶内且与磁屏蔽桶相连接的磁屏蔽结构,磁屏蔽桶的两端设有桶盖,桶盖上设有换气孔和出线孔,磁屏蔽结构包括三轴阵列式磁通门、铜板、接地线,铜板放置在磁屏蔽桶内,铜板上放置测试样品,测试样品上放置三轴阵列式磁通门。一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量方法,包括:打开桶盖,将经过表面放电处理的测试样品放置于铜板之上,然后将三轴阵列式磁通门放置于测试样品之上,关闭桶盖进行测试样品表面的电势分布的测量;最后测量结果可通过数据传输线传输到电脑上进行后续分析。本发明具有测量精度高、结构简单、抗干扰能力强、操作简单等优点。

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