本发明公开了一种氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，制备氧化镍凝胶薄膜；步骤2，在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜，得氧化钛/氧化镍基片；步骤3，在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；步骤4，使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备，即得。使用本发明的制备方法可以在ITO底电极上一次性制得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结的制备效率。
