本发明公开了一种沟槽栅MOS‑GCT，在n‑基区上的p基区上设有n辅助层，在n辅助层上方中央设有n+阴极区；在n+阴极区的环形沟槽内圈的n辅助层上方的p+漏区与n+阴极区的铝层相连形成阴极K；在环形沟槽中设有栅氧化层和重掺杂的多晶硅层，作为关断门极Goff；在n辅助层上方环形沟槽外圈设有p+门极区，p+门极区上表面的铝电极为开通门极Gon；开通门极Gon与关断门极Goff相连形成集成栅极G；n‑基区向下依次设有nFS层、p+透明阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该沟槽栅MOS‑GCT的制备方法。本发明沟槽栅MOS‑GCT结构，显著降低门极驱动电路复杂度、寄生电感及成本，缩小体积。
