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本发明公开了一种基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器，包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底，硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔，六个谐振腔依次排布呈L型设置；上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口；上层RDL上开设有S槽缺口a，下层RDL上开设有S槽缺口b，S槽缺口a和S槽缺口b拼接在一起恰好形成两个整圆。本发明采用交叉耦合的拓扑结构，用于实现六阶基片集成波导。

基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器

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