一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN202010584587.0

申请人（专利权人）:

谌娟

行业类别:

技术成熟度:

公布时间:

证书状态:

授权

交易价格：

45000元

我要咨询

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

我要咨询

商标类型：

商标号：

联系人：

联系电话：

商标名称：

验证码

点击获取验证码

报价：

需求描述：

提交

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

微信

友情链接

百度

电话：18504815395

邮箱：965848622@qq.com

地址：呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906

网站地图

扫一扫关注

版权所有：小智科技服务平台

蒙公网安备 12345678910111号蒙ICP备17005805号-2

政府网站标识码：1500000060

技术支持：