本发明公开了Gd‑Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料，该铁电储能陶瓷材料的结构式为Sr(0.53‑0.15x)Ba0.47GdxNb2‑yTayO6，其中，x的取值为0.01～0.1，y的取值为0.1～0.5。本发明还公开了其制备方法，具体为：称取BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5，充分混合球磨，干燥后进行预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后，进行烧结，即可。通过在陶瓷材料中掺杂Gd和Ta，不但获得了高储能密度，且显著提高了其储能效率，并改善了其储能性能的温度稳定性，在140℃下击穿场强可以达到400kV·cm‑1，储能密度达到85％。
