本发明公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。本发明还公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，本发明中的SiGe HBT能够提高器件电学性能，缓解基区扭结效应造成的器件高频应用时最大稳定增益较低的问题。
