本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧裸露的第一外延层上表面嵌有阳极终端结；还包括第一阳极发射区与阳极钝化层、各个欧姆金属、中心阳极、逆导阴极、门极；第一外延层的下表面从边缘向中心依次覆盖有三个缓冲层及两个阴极隔离结，还包括各个欧姆金属、阴极钝化层、阴极。本发明还公开了该种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT的制造方法。本发明的器件，在导通状态下，具有更强的通流能力。
